供需形成共振，存储芯片价格四季度涨幅或扩大

据机构TrendForce最新研究显示，2023年第四季度移动平台DRAM、NAND价格将继续上涨。其中DRAM合约价预计环比增长13%-18%，NAND Flash如eMMC、UFS闪存，环比涨幅约为10%-15%。

TrendForce表示，第四季度涨幅扩大有几个原因，供应方面，三星扩大减产、美光给出20%涨幅等，持续奠定从业者的涨价信心。

需求方面，2023年下半年移动平台DRAM、NAND除了受惠于传统Q3旺季带动，华为Mate 60系列等手机，也刺激其它中国智能手机品牌扩大生产目标，进而推动第四季度移动存储芯片合约价上涨。

中信证券表示，国内厂商由于主要布局利基存储设计或主流存储模组环节，今年二季度大部分存储厂商毛利率已至近年低位，库存见顶，营收/出货量出现环比增长，部分厂商利润端环比改善。预计下半年随库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会。

公司方面，中信证券表示，包括：

1）存储模组：江波龙、德明利、佰维存储、深科技、万润科技、协创数据等；

2）存储芯片设计：东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份等；

3）存储配套芯片：澜起科技、聚辰股份等。

*免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议

上面就是小编为您带来供需形成共振，存储芯片价格四季度涨幅或扩大的全部内容。