除了HBM，两大存储龙头又有新动作，机构称行业今年迎来向上拐点

据界面新闻报道，由于AI需求强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。

国元证券认为，2024年是Dram行业“三点共振”的交汇时点。三点共振指的是Dram行业经过了2年调整后，将在24年迎来大周期向上拐点，DDR5在全球Dram市场渗透率从23年的15%左右提升到50%-60%的关键时点，以及AI率先带动的AIPC需求，进而推动消费类Dram规格向服务器Dram规格靠拢的关键时间节点。

平安证券也表示，一方面，从行业角度看，根据TrendForce预测数据，不论是DRAM还是NANDFlash，2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势，同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化，存储行业有望在2024年步入上行周期。

另一方面，随着高性能计算以及AI功能需求的快速增加，以及AIPC等AI硬件产品持续推出，为保证AI应用的流畅运行，存储的规格和容量均需进行配套升级，高端存储产品和技术将迎来渗透加速。

公司方面，德邦证券表示包括：

存储模组：江波龙（进军企业级&信创市场）、佰维存储（研发封测一体化）、朗科科技（韶关数据中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模组）等；

存储芯片：兆易创新（NOR+DRAM龙头）、东芯股份、普冉股份等；

DDR5配套：澜起科技、聚辰股份等。

*免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议

上面就是小编为您带来除了HBM，两大存储龙头又有新动作，机构称行业今年迎来向上拐点的全部内容。