受益HBM需求爆发，存储巨头10亿美元加码先进封装

据界面新闻3月7日报道，SK海力士将在韩国投资超过10亿美元加大对先进芯片封装的投入，用于扩大和改进芯片制造的最后步骤。

东吴证券表示，先进封装通过缩短处理器和存储器间的连接距离、提升连接效率，能够增加连接带宽，减小传输功耗。如海力士加码的HBM 内存技术，利用 TSV和硅中介层等工艺垂直堆叠 DRAM 芯片，并将 CPU/GPU 与存储单元封装在一起。

和传统显存 GDDR5 相比，HBM 带宽更高、面积更小、功耗更小（HBM2 的功耗减少超过 20%），因而性能更强，已成为先进高性能计算芯片的首选内存方案。

中泰证券指出，封装需求高增叠加芯片封装工艺难度加大、工艺成本提升，带来单颗芯片封装价值量的提升，两者共同促成先进封装上游设备/材料量价齐升。先进封装带来的新增设备主要有固晶机、混合键合机、电镀设备等，对材料需求的提升主要体现在IC载板、底填胶、TIM材料、塑封料等领域。

公司方面，据华西证券表示，

天承科技：公司拥有RDL+TSV电镀添加剂。

中科飞测：公司在后道先进封装领域布局领先。此外，先进封装对于薄膜沉积设备、去胶机、刻蚀机、清洗机等需求同样为新增量，看好前道相关企业在先进封装领域的降维优势。

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