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性能优异低成本 第四代半导体研发取得突破
近日杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。据介绍，氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。
相关个股：华映科技(000536)、阿石创(300706)。
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