性能优良 新型光刻胶技术获得初步验证

性能优良 新型光刻胶技术获得初步验证

4月2日，从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差(SD)极小(约为0.05)、性能优于大多数商用光刻胶，且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对量和生产效率的需求。

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