大厂减产效果显现，NAND涨价再超预期，3D堆叠成未来发展方向

据中国台湾媒体工商时报报道，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，四季度合约价报价优于市场预期，其中DDR5上涨15-20%，DDR4上涨10-15%，DDR3上涨10%，而原先预估仅5-10%。同时，NAND每家平均涨幅至少在20-25%，涨幅明显更高。

此前为应对存储器价格持续下行，三星、美光、海力士等存储大厂通过缩减资本开支来控制行业产能，减少亏损幅度。东莞证券表示，进入四季度，在晶圆厂大力控产和手机等下游需求超预期等等多重因素影响下，厂商减产效应开始显现，部分存储芯片价格出现强劲反弹。

甬兴证券也表示，从NAND盈利角度来看，原厂控制存储供应并强势涨价是大势所趋，现货市场 NAND 供应趋紧、价格缓涨的市况在一段时间里或成为常态。

  此外，随着市场对NAND容量扩展的要求，3D堆叠技术已成为NAND Flash发展的主要方向，广发证券[000776.SZ、01776.HKEX]指出，高深宽比刻蚀是3D NAND的核心技术环节。随着本土晶圆产能的持续扩张，国产半导体设备厂商有望依托自身的产品竞争力、广阔的份额增长空间和品类扩张能力，加速提升相关领域的份额国产化替代。

公司方面，据上市公司互动平台表示，

  东芯股份：公司是国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM完整解决方案的公司。

  德明利：主营NAND主控+模组等。

  *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议

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