万物公式网是一个专注于股票软件、股票公式资源分享的平台
微信公众号:精品公式指标

网站首页 > 精选研报 正文

中微公司(688012)首次覆盖:刻技精深 沉积致远:先进工艺演进驱动公司产品迈入放量新阶段

admin 2025-12-12 01:54:44 精选研报 8 ℃

温馨提示: 本文所述模型仅限学术探讨,"基于开源数据集的理论推演".本站所有指标或视频战法,皆为举例演示或技术复盘,仅做验证学习使用,内容仅供参考,不构成投资建议,请勿用于实盘,否则自负盈亏,风险自担!“历史数据不代表未来收益”“投资有风险,决策需谨慎””

指标交流QQ群:586838595


 

  投资要点:

投资建议:首次覆盖,给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027 年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79 亿元, 对应同比增长35.0%/44.8%/35.5% , 对应PE 为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业,但基于公司1)刻蚀设备在主流晶圆厂不断验证,应用于先进逻辑节点;2)薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破,新产品已陆续进入规模化放量阶段,在半导体设备行业中具备稀缺性,我们认为应给予一定估值溢价。

行业与公司情况:公司是中国前道核心工艺设备领先厂商,刻蚀产品覆盖CCP 与ICP 两大体系,已满足65nm 至5nm 及更先进节点需求,并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备,同时拓展光学与电子束量测及多类泛半导体微加工设备。行业方面,全球半导体设备市场2024–2027 年将保持复苏,我们预计市场规模由2024 年的1,255 亿美元增至2027 年的1,505 亿美元,CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下,由2024 年的491 亿美元增至2027 年的662 亿美元。

关键假设点:1)多重图案化与3D 存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm 向5nm 及以下推进,以及3D NAND 层数由100+ 层向200+ 层、单deck向双/三deck 演进,刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM 均提升约1.7–2.0 倍。

我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展,有较强能力承接先进制程扩容带来的结构性增量。2)薄膜沉积业务进入规模化阶段,新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD 等新品相继通过客户验证并形成批量出货,2025前三季度该业务收入约4 亿元,同比增幅超1300%。同时,硅及SiGe 外延(EPI)设备已陆续导入头部客户的量产验证环节,外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027 年保持放量,公司收入结构逐渐多元化,并成为未来毛利率改善主要来源。

有别于市场的认识:市场多将关注点放在国产替代进程上,但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先进逻辑及高层数3D NAND 在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进,由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM 提升;在这两条工艺主线中,公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段,具备相对更明确的受益基础。

股价表现的催化剂:公司薄膜沉积产品线放量;公司先进工艺验证进展加速;中国主流晶圆厂资本开支上修;AI 驱动算力存力投资上行。

      风险提示:先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡不及预期风险。