晶升股份(688478)动态跟踪点评：下游厂商加快大硅片布局 公司有望受益于扩产

事件：沪硅产业发布《关于投资建设集成电路用 300mm 硅片产能升级项目的公告》，拟投资建设集成电路用300mm 硅片产能升级项目，建成后将新增60 万片/月300mm 硅片产能，预计总投资132 亿元。项目将分太原项目及上海项目，其中太原项目拟建设拉晶产能60 万片/月（含重掺）、切磨抛产能20 万片/月（含重掺）；上海项目拟建设切磨抛产能40 万片/月。若以立昂微招股书及《非公开发行股票申请文件的反馈意见之回复（修订稿）》披露数据计算，12 寸硅片1 万片月产能对应单晶炉购置费用约为1677.87 万元，则建设12 寸硅片60 万片/月产能对应单晶炉购置费用超10 亿元。

晶升股份为国内较早开展12 英寸半导体级单晶硅炉产品研发的公司之一。

公司重要客户包括沪硅产业（上海新昇）、立昂微（金瑞泓）和神工股份等，自2015 年以来与沪硅产业稳定合作。上海新昇在国内率先实现12 英寸半导体硅片规模生产及国产化，2018 年公司的12 英寸半导体级单晶硅炉经上海新昇验收通过，实现了12 英寸半导体级单晶硅炉的国产化。公司半导体级单晶硅炉设备规格指标参数、晶体生长控制指标参数可与国际水平看齐，2022 年末12 英寸半导体级单晶硅炉国内市占率约9%~16%，国内领先。客户、技术、先发布局等优势加持下，公司份额有望维持领先并持续提升。

SiC 布局加深，扩产趋势下公司发展机会大。根据《晶升股份发行人及保荐机构第三轮问询回复意见》，国内SiC 衬底预计2~5 年产能增量为469.6~537.1 万片/年，国内SiC 单晶炉市场可新增9392~14323 台，以单炉60~110 万元计算，国内SiC 单晶炉至2027 年市场新增空间约56.35~157.55亿元。公司长晶炉国内市占率约27%~29%，位居前列，同时CVD 设备、切割设备等新品已在研发和测试阶段，围绕产业链不断纵深布局。

盈利预测：预计公司2024~2026 年归母净利润为1.14/1.60/1.92 亿元，同比+61.1%/39.7%/20.3%，维持“增持”评级。