甬矽电子(688362)：景气度回升毛利率稳步回升 先进封装领域扩大研发布局

甬矽电子发布2024 年半年度报告：2024 年上半年公司实现营业收入16.29 亿元，同比增长65.81%；实现归属于上市公司股东的净利润0.12 亿元，实现扭亏转盈；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-0.16 亿元，同比减亏0.98 亿元。

    　　投资要点

    　　营业收入稳步提升，净利润扭亏转盈

2024 年上半年，行业景气度回升叠加公司积极拓展新客户取得突破，公司营收稳步提升。其中Q2 单季度实现营收9.03亿元，同比增长61.79%，归母净利润0.48 亿元，环比扭亏转盈，增加0.83 亿元；扣非净利润0.31 亿元，环比扭亏转盈，增加0.77 亿元。毛利率在今年上半年稳步回升，整体毛利率达到 18.01%，同比增加 5.83 个百分点，主要得益于部分客户所处领域的景气度回升、新客户拓展及部分原有客户的份额提升，随着公司营业收入的增长，规模效应逐步显现。

持续加大研发投入，积极布局先进封装领域2024 年上半年，公司持续加大研发投入，研发投入金额达到9,398.43 万元，占营业收入的比例为5.77%。公司通过实施Bumping 项目掌握的 RDL 及凸点加工能力，并积极布局扇出式封装（Fan-out）及2.5D/3D 封装工艺，公司研发团队通过自主研发，在先进晶圆级封装领域掌握了晶圆高密度、细间距重布线（RDL）及晶圆凸块（Bumping）技术、基于多层重布线（RDL）技术的 WLCSP 扇入式封装、8 寸及 12 寸晶圆的 CP（Chip Probing）测试能力等主要核心技术，在先进封装领域具有较为突出的工艺优势和技术先进性。

高密度SiP 封装技术助力射频前端高密度集成化随着射频器件数量不断提升，射频前端也向高密度集成化发展。公司对 4G/5G 射频芯片的封装技术展开了大量技术攻关， 在高密度SiP 技术开发中， 研发实现先进的双面SiP(DSM-BGA SiP)技术,将传统XY 平面芯片与元器件集成技术向空间Z 方向延伸，实现SiP 模组芯片、元器件、射频器　　件的双面高密度集成整合封装技术。公司已将高密度SiP 封装技术应用于5G 全系列射频前端集成模组（ DiFEM 、LPAMiD、PAMiD、PAMiF、L-FEM、MMMB、TxM、PAM 等）、IoT物联网通讯等产品中，并布局进阶Phase 8 的L/M/HB Allin-one 大集成5G 射频模组技术开发。

    　　盈利预测

预测公司2024-2026 年收入分别为34.50、43.80、52.64 亿元，EPS 分别为0.18、0.49、0.83 元，当前股价对应PE 分别为103.0、38.4、22.8 倍。随着下游行业景气度回升，中高端封装产品需求回暖提升，公司先进封装业务预计将拓展新客户并占据更大市场份额，维持“买入”投资评级。

    　　风险提示

宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。