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拓荆科技(688072):24Q2业绩环比高增 不断拓宽产品矩阵

admin 2024-10-04 01:44:38 精选研报 106 ℃

  投资要点

      事件:公司发布2024 年半年报。

      24H1 持续加强研发投入,2024Q2 业绩环比高增长

2024 年上半年公司实现营收12.67 亿元,同比+26.2%;归母净利润1.29 亿元,同比+3.6%;扣非后归母净利润0.20 亿元,同比-69.4%。利润增速低于营收增速,主要系:1)公司加强研发投入,研发费用同比+49.6%;2)为支持业务规模增长及响应客户需求,人员薪酬费用有所增加,销售费用同比增长39.2%。

二季度业绩环比高增长,2024Q2 公司营业收入7.95 亿元,同比+32%,环比+69%;归母净利润1.19 亿元,同比+67%,环比+1033%;扣非后归母净利润0.64 亿元,同比+41%,环比扭亏为盈。

      24H1 出货金额快速增长,合同负债环比大增47%

2024 年上半年公司出货金额32.5 亿元,同比增长146.5%,2024 年上半年公司出货430 个反应腔,预计2024 年出货超过1000 个反应腔(2023 年出货超460 个反应腔),保障后续收入增长。24H1 末公司发出商品余额31.6 亿元,较2023 年末增长63.5%,合同负债20.4 亿元,环比24Q1 增长47.0%,验证新签订单增长。

      持续拓展薄膜设备覆盖度,混合键和打开第二增长级

公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD 等薄膜设备及混合键和产品系列。1)PECVD:覆盖全系列PECVD 薄膜材料。研发PECVD Bianca 新品,可在晶圆背面沉积SiN、SiO2 等介质薄膜材料,实现对晶圆翘曲的纠正 以及晶圆背面的保护。2)ALD:覆盖PE-ALD、Thermal-ALD,PE-ALD 可沉积SiO2、SiN 材料,Thermal-ALD 可沉积Al2O3 等金属及金属化合物材料,两类设备均在逻辑、存储制造实现产业化应用。3)SACVD:可沉积SA TEOS、SA BPSG、 SAF 等介质薄膜材料,在制造产线应用规模不断提升。4)HDPCVD:可沉积 USG、FSG、PSG 等介质薄膜材料,截至24H1 累计出货70 个反应腔。5)超高伸宽比沟槽填充CVD 设备:在逻辑、存储制造领域实现产业化应用,可以沉积SiO2 等材料,已累计出货超过15 个反应腔。5)混合键合:晶圆对晶圆键合、芯片对晶圆键合表面预处理设备均获得客户量产订单,键合套准精度量测产品已获得客户订单。

      盈利预测与估值

预计公司2024-2026 年实现营收39.3、52.2、65.7 亿元,同比增长45%、33%、26%,CAGR=29%;归母净利润7.9、10.4、13.6 亿元,同比增长19%、32%、31%,CAGR=31%,对应PE 分别为45、35、26 倍,维持“买入”评级。

      风险提示

      下游需求不及预期;设备国产化不及预期;产品验证不及预期

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其他说明

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