拓荆科技(688072)2025年三季报点评：存储“超级周期” 公司有望深度受益

　　本报告导读：

    　　全球存储产业迎“超级周期”，拓荆科技将深度受益于存储客户未来几年的扩产。

    　　投资要点：

维持拓荆科技“增持”评级，目标价 434.02元。考虑到 25Q3公司的盈利能力快速增长，进一步验证了我们在半年报点评报告中关于公司先进制程验证机台顺利通过客户认证，逐步进入规模化量产阶段的描述。我们对拓荆科技2025-2027 年最新股本摊薄的EPS 进行上修，分别为3.59/6.20/9.31 元（上一次为3.05/4.97/6.74 元），增速为46.84%、72.53%、50.20%。根据可比公司2026 年PE 均值49.46倍，考虑到公司的盈利能力处于快速增长阶段，给予2026 年PE 估值70 倍，对应目标价434.02 元。

盈利能力快速增长。25Q3 收入22.66 亿元，+124.15% YoY，+81.94%QoQ；扣非后归母净利润4.20 亿元，+822.50% YoY，+92.27% QoQ。

截止2025.09.30 期末，合同负债48.94 亿元，+64.07% YoY。前三个季度收入42.20 亿元，+85.27% YoY；扣非后归母净利润4.58 亿元，+599.67% YoY；销售毛利率33.28%，销售净利率12.69%。

全球存储产业“超级周期”开启。本轮存储芯片价格大涨，现货市场涨价幅度有60%到80%不等，主要是全球市场多重因素叠加共振的结果，包括人工智能和数据中心的需求驱动、产品结构的转移导致传统存储芯片供应锐减、厂商主动减产去库存等。国内两大存储制造企业冲刺IPO：①、长鑫科技完成IPO 辅导工作，最新状态为辅导验收；②、长江存储完成股份制改革；我们认为AI 驱动的对存储需求的增加，国内将加速新一轮的扩产。

公司将充分受益于存储晶圆厂的扩产需求。拓荆科技推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及Flowable CVD 薄膜设备可以支持逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100 多种工艺应用。其中，①、面向先进存储领域自主研发的PECVD Supra-D OPN、SiB、高温SiN 等工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求；②、公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案，产品已出货至先进存储领域客户。我们认为拓荆科技在先进存储领域的薄膜沉积设备、三维集成领域的先进键合及配套量检测设备等具有很强的核心竞争力，将充分受益于未来几年存储大厂的扩产。

    　　风险提示：下游晶圆厂扩产进度低于预期、产品价格下滑的压力、PE 估值高于可比公司的风险等。