源杰科技(688498)深度报告：源于追求杰出 聚焦创中国“芯”

源杰科技：源于追求 杰出，聚焦创中国“芯”源杰科技成立于2013 年，专注高速半导体光芯片研发、设计和生产，产品覆盖DFB、EML 及大功率CW 激光器。公司从电信市场起步，已形成覆盖设计、外延、晶圆制造、芯片加工、测试验证的IDM 全流程能力。2025 年AI 数据中心需求爆发，前期技术积累进入兑现期，数据中心CW 光源大批量交付，带动收入和利润进入高增长通道。

    　　激光器芯片：算力洪峰下的稀缺环节

硅光加速渗透，CW 光源成为国产突破窗口。光模块向更高速率演进，传统分立式在集成度、功耗和可靠性方面逐步接近瓶颈，硅光渗透率提升为产业大趋势。EML 方案由激光器同时承担发光与高速调制功能，工艺和良率控制难度较高，高端供给长期由海外龙头主导；硅光方案由PIC 完成高速调制，外置CW 光源承担连续发光功能，为具备大功率DFB/CW 量产能力的国内厂商打开切入高速数通供应链的窗口。随着NPO/CPO 等光引擎推进，大功率CW 光源配置比例和价值量有望继续抬升。

云厂商资本开支上修，InP 光源供需紧张延续。AI 模型能力提升和商业化兑现推动云厂商持续加大算力投入，海外头部云商资本开支维持高增，带动高速光模块、硅光模块和上游激光器芯片需求同步放大。LightCounting 预计2026 年硅光模块销售额占比将超过50%，2025-2031 年全球光芯片市场规模有望由40 亿美元增至150 亿美元。供给端看，InP 光芯片扩产受设备交期、工艺调试、良率爬坡和客户认证周期制约。Lumentum 预计2026-2030 年InP 芯片需求CAGR 达85%，Coherent 订单亦排期至2028 年，行业紧平衡有望延续。

    　　公司竞争力：技术底座深，数通弹性强

光芯片制造的外延、光栅、波导、镀膜、测试等环节均会影响性能、稳定性和良率，难以依靠单一设备或通用工艺快速复制。公司长期深耕InP 光芯片制造，IDM 模式使其能够在设计、制造、测试和客户反馈之间形成闭环，持续沉淀工艺参数和量产经验，高良率支撑较强盈利能力。

产品侧，公司70mW CW 已实现批量放量，100mW 产品客户验证和测试顺利，300mW 等更高功率产品持续推进；100G/200G PAM4 EML 亦持续推进验证。客户侧，公司覆盖国内主流光模块厂商及设备商，导入周期长、合作稳定性较强。产能侧，公司加码光芯片产业化项目、研发生产基地二期及海外生产基地布局，有望在行业供给紧缺阶段强化规模化交付能力。

    　　投资建议

公司长期深耕InP 激光器芯片，已形成覆盖芯片设计、加工与测试的IDM 能力。AI 数据中心建设推动高速光互连加速升级，硅光方案渗透，外置大功率CW 光源成为核心增量。InP 激光器产能受设备交期、良率爬坡等因素制约，行业供需紧张预计延续。公司技术底座深，良率优势兑现、头部客户导入、产能扩张推进；2025 年数通业务收入同比大幅增长，毛利率和净利率显著抬升，高端光芯片放量有望持续加速。预计公司2026-2028 年归母净利润分别为8.84 亿元、13.87 亿元、20.90 亿元，对应同比增速363%、57%、51%，对应PE 为224 倍、143 倍、95 倍。首次覆盖，给予“买入”评级。

    　　风险提示

1、技术路线迭代及新产品商业化不及预期风险；2、下游AI 数据中心需求及行业竞争风险；3、产能扩张、供应链及地缘环境风险；4、盈利预测不及预期。